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SiR418DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
70
56
42
2 8
14
V GS = 10 V thr u 3 V
10
8
6
4
2
T C = 25 °C
T C = 125 °C
0
V GS = 2 V
0
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
5
0.0059
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
3200
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.0055
0.0051
V GS = 4.5 V
2560
C iss
1920
0.0047
0.0043
V GS = 10 V
12 8 0
0.0039
0.0035
640
0
C rss
C oss
0
14
2 8
42
56
70
0
8
16
24
32
40
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
2.0
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
I D = 20 A
V DS = 10 V
1.7
I D = 20 A
V GS = 10 V
6
4
2
0
V DS = 30 V
V DS = 20 V
1.4
1.1
0. 8
0.5
V GS = 4.5 V
0
12
24
36
4 8
60
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 65153
S09-1813-Rev. A, 14-Sep-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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